王占國(guó)在全面查閱相關(guān)文獻(xiàn)之后,制定了切實(shí)可行的方案。他不貪圖捷徑,從最基本的光學(xué)實(shí)驗(yàn)做起,一步步推進(jìn)。設(shè)備差,他在摸熟儀器性能之后,大膽改進(jìn)實(shí)驗(yàn)條件。最終,他總結(jié)出一套新實(shí)驗(yàn)方法,解決了在多子系統(tǒng)中研究少子陷阱性質(zhì)的難題。既節(jié)省了測(cè)量時(shí)間,也提高了實(shí)驗(yàn)精度和可靠性,還簡(jiǎn)化了樣品的制備要求。
難題的解決,引起了系里同行的注目。王占國(guó)那個(gè)冷落的實(shí)驗(yàn)室,一下子熱鬧起來(lái)。研究生們有的來(lái)向王占國(guó)祝賀,有的來(lái)求教實(shí)驗(yàn)中的種種疑難。同事萊德堡博士不解地問(wèn):“這么一個(gè)新的實(shí)驗(yàn)方法,你是如何想出來(lái)的呢?”王占國(guó)幽默地說(shuō):“還記得哥倫布立雞蛋的故事吧,用他的話說(shuō):‘事情就這么簡(jiǎn)單’”。
中心主任哥爾馬斯主動(dòng)提出讓王占國(guó)使用自己的實(shí)驗(yàn)室。進(jìn)入哥爾馬斯的實(shí)驗(yàn)室,王占國(guó)如魚得水。他潛心研究手頭的課題,得出的結(jié)果與哥爾馬斯的結(jié)論大相徑庭。王占國(guó)沒(méi)有立即公開自己的研究成果,而是寫信向黃昆和林蘭英匯報(bào)。不久,他收到回信:“物理學(xué)上沒(méi)有不變的規(guī)律,不要迷信權(quán)威。科學(xué),從來(lái)就是后人對(duì)前人結(jié)論的不斷修正才得以發(fā)展起來(lái)的……” 受此鼓舞,王占國(guó)又采用一種新方法對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行嚴(yán)格驗(yàn)證,最終確定自己的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是正確的。
當(dāng)王占國(guó)把實(shí)驗(yàn)結(jié)果交給哥爾馬斯審閱時(shí),哥爾馬斯非常驚訝。但當(dāng)他提出的問(wèn)題被王占國(guó)一一解答后,哥爾馬斯不得不承認(rèn)“實(shí)驗(yàn)結(jié)果是無(wú)可挑剔的”。他起身熱情地握住王占國(guó)的手說(shuō):“密斯特王,了不起,祝賀你!”
王占國(guó)根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果寫成的學(xué)術(shù)論文發(fā)表后,國(guó)際上深能級(jí)研究的另一大權(quán)威,美籍華裔科學(xué)家薩支唐在美國(guó)《應(yīng)用物理》雜志上感慨地寫道:“王用哥爾馬斯的實(shí)驗(yàn)室測(cè)得的結(jié)果,否定了哥氏的結(jié)論”。
辛勤耕耘 無(wú)怨無(wú)悔
1983年11月,王占國(guó)歸國(guó)。從1984年開始,他致力于深能級(jí)物理實(shí)驗(yàn)室建設(shè)和材料物理的研究。
1987年,王占國(guó)通過(guò)我國(guó)發(fā)射的科學(xué)實(shí)驗(yàn)衛(wèi)星,首次成功地在空間從熔體中生長(zhǎng)出了GaAs單晶,開拓了我國(guó)微重力材料科學(xué)研究的新領(lǐng)域。這一成果榮獲中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)(1989)和國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)(1990)。根據(jù)在太空生長(zhǎng)GaAs的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,王占國(guó)又提出“太空中由于重力驅(qū)動(dòng)的溶質(zhì)對(duì)流消失,可使化合物材料化學(xué)配比得以精確控制”的新觀點(diǎn),對(duì)化合物半導(dǎo)體的研究有很好的指導(dǎo)作用。
在任國(guó)家“863計(jì)劃”新材料領(lǐng)域?qū)<椅瘑T會(huì)委員、常委和功能材料專家組組長(zhǎng)期間,王占國(guó)和蔣民華院士一起力排眾議,率先在新材料領(lǐng)域的“863計(jì)劃”中設(shè)立了GaN基材料和藍(lán)綠光器件研究課題,繼而以重點(diǎn)和重大專項(xiàng)給予了有力支持,為我國(guó)半導(dǎo)體固態(tài)照明技術(shù)(LED)的發(fā)展打下了基礎(chǔ)。同時(shí),他還堅(jiān)持把全固態(tài)激光器作為材料領(lǐng)域的優(yōu)先研發(fā)課題,并以重大專項(xiàng)形式予以持續(xù)穩(wěn)定的支持,取得了一批具有國(guó)際先進(jìn)水平的成果。在“863計(jì)劃”15周年時(shí),王占國(guó)被科技部授予先進(jìn)個(gè)人稱號(hào)。
最近10年,王占國(guó)的研究重點(diǎn)集中在半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)和量子器件這一國(guó)際前沿領(lǐng)域。2002年底,他和中科院半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的同事們一起,研制出國(guó)際首只量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管。2007年,他們又將量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管的光譜寬度,進(jìn)一步拓寬至110納米以上。目前,該實(shí)驗(yàn)室研制的1微米波段量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管的綜合性能,處于國(guó)際最好水平。
王占國(guó)至今已培養(yǎng)了一百多名碩士、博士,大多學(xué)有所成,活躍在國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域。每一屆學(xué)生畢業(yè)的時(shí)候,王占國(guó)都要提醒他們:無(wú)論你們走到哪里,都不要忘記自己的祖國(guó),要為中國(guó)的強(qiáng)盛作貢獻(xiàn)。
人物介紹
王占國(guó),1938年12月出生于河南省鎮(zhèn)平縣。1962年畢業(yè)于南開大學(xué)物理系,分配到中科院半導(dǎo)體所工作。1980年赴瑞典隆德大學(xué)固體物理系做訪問(wèn)學(xué)者。1986年破格晉升為中科院半導(dǎo)體研究所研究員。1995年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士。
王占國(guó)致力于半導(dǎo)體材料光電性質(zhì)、半導(dǎo)體深能級(jí)和光譜物理研究,砷化鎵材料與器件關(guān)系研究,半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)材料與量子器件研究等工作。研究成果曾獲國(guó)家和中科院自然科學(xué)獎(jiǎng)、科技進(jìn)步獎(jiǎng)、何梁何利科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)以及多項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)科技攻關(guān)獎(jiǎng)。現(xiàn)任中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體和集成技術(shù)分會(huì)主任,國(guó)家“973”計(jì)劃材料領(lǐng)域咨詢專家組組長(zhǎng)等。先后曾任中科院半導(dǎo)體所副所長(zhǎng)、中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)和國(guó)家“863”新材料領(lǐng)域?qū)<椅瘑T會(huì)委員、常委和功能專家組組長(zhǎng)等。■本報(bào)記者 郭勉愈【原標(biāo)題:王占國(guó):科學(xué)的道路沒(méi)有捷徑】